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《微纳电子技术》2020年07期
 
更新日期:2021-02-03   来源:微纳电子技术   浏览次数:172   在线投稿
 
 

核心提示:目录器件与技术电导增强的10kVSiC二极管查祎英;夏经华;桑玲;杨霏;王耀华;509-513材料与结构黑色TiO2/MoS2的制备改性及其光催化性

 
 目录
器件与技术
电导增强的10kV SiC二极管查祎英;夏经华;桑玲;杨霏;王耀华;509-513材料与结构
黑色TiO2/MoS2的制备改性及其光催化性能安维亮;张文磊;李廷鱼;郭丽芳;李刚;514-520
MnFe2O4电极的制备及其在赝电容器中的应用闫伟;禚凯;李艳萍;521-525+540
基于电容结构的α-SiGe∶H膜电学退化特性郑若成;吴素贞;洪根深;王印权;徐海铭;吴建伟;526-531+576MEMS与传感器
基于热粘性声学的电容式声压水听器张鹏飞;王任鑫;李照东;张文栋;532-540
气体环境下液滴在石墨烯-铜凹槽复合基底上的自驱动特性王中豪;皇前进;张忠强;541-549+576加工、测量与设备
基于单晶AlN薄膜的干法刻蚀和湿法腐蚀赵龙;王强;薛晨阳;550-555
镉离子修饰的金纳米簇对汞离子的快速检测杨敏;张博叶;段倩倩;556-561+567
面向TGV封装的纳米玻璃粉末回流工艺杜晓辉;刘帅;朱敏杰;562-567
功率器件用n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触工艺夏经华;桑玲;杨香;郑柳;查祎英;田亮;田丽欣;张文婷;杨霏;吴军民;568-576
SiO2负载超细AgO纳米颗粒的制备及表征杨婉箐;何锐;黄晓炜;相文峰;李俊键;577-580+593
6英寸高纯半绝缘SiC生长技术吴会旺;赵丽霞;刘英斌;李胜华;581-585+593
基于韦森堡效应微笔直写技术的影响因素卓丽云;王伟;586-593
第一次征文通知第十五届固态和集成电路技术国际会议594-595
第十三届中国微纳电子技术交流与学术研讨会会议通知596
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