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《数值计算与计算机应用》2020年02期
 
更新日期:2024-02-06   来源:数值计算与计算机应用   浏览次数:315   在线投稿
 
 

核心提示:目录前言专辑:半导体器件及其辐射损伤效应数值模拟方法与软件卢本卓;83-84三维半导体器件漂移扩散模型的并行有限元方法研究王芹;

 
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前言 专辑:半导体器件及其辐射损伤效应数值模拟方法与软件卢本卓;83-84
三维半导体器件漂移扩散模型的并行有限元方法研究王芹;马召灿;白石阳;张林波;卢本卓;李鸿亮;85-104
半导体器件电离辐照损伤效应模拟的数值算法及应用马召灿;许竞劼;卢本卓;李鸿亮;105-120
3Ddevice:半导体器件及其辐照损伤效应仿真软件系统黄成梓;白石阳;王芹;马召灿;张倩茹;刘田田;桂升;卢本卓;陈旻昕;李鸿亮;121-142
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真魏莹;文林;李豫东;郭旗;143-150
空穴、H+在SiO2体内输运的数值模拟研究李培;贺朝会;郭红霞;李永宏;张晋新;151-158
硅基三极管脉冲中子辐射效应TCAD仿真段丙皇;熊涔;陈泉佑;赵洪超;159-168
《数值计算与计算机应用》征稿简则169
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