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《人工晶体学报》2020年11期
 
更新日期:2024-02-19   来源:人工晶体学报   浏览次数:255   在线投稿
 
 

核心提示:目录综合评述氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延沈波;杨学林;许福军;1953-1969氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进

 
目录
综合评述
氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延沈波;杨学林;许福军;1953-1969
氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科;1970-1983
GaN基三维结构生长与器件应用王珣;汪莱;郝智彪;罗毅;孙长征;韩彦军;熊兵;王健;李洪涛;1984-1995
GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势李方直;胡磊;田爱琴;江灵荣;张立群;李德尧;池田昌夫;刘建平;杨辉;1996-2012
氮化镓基Micro-LED显示技术研究进展蒋府龙;许非凡;刘召军;刘斌;郑有炓;2013-2023
氮化镓单晶的液相生长任国强;刘宗亮;李腾坤;徐科;2024-2037
氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望姜元希;刘南柳;张法碧;王琦;张国义;2038-2045
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件贲建伟;孙晓娟;蒋科;陈洋;石芝铭;臧行;张山丽;黎大兵;吕威;2046-2067
AlGaN量子结构及其紫外光源应用李金钗;高娜;林伟;蔡端俊;黄凯;李书平;康俊勇;2068-2078
AlGaN基深紫外发光二极管研究进展吴峰;戴江南;陈长清;2079-2097
氮化铝纳米结构的生长与物性研究刘梦婷;韩杰才;王先杰;宋波;2098-2121
新一代SiC功率MOSFET器件研究进展柏松;李士颜;费晨曦;刘强;金晓行;郝凤斌;黄润华;杨勇;2122-2127
4H-SiC半导体同质外延生长技术进展冯淦;孙永强;钱卫宁;陈志霞;2128-2138
MPCVD单晶金刚石生长及其电子器件研究进展王艳丰;王宏兴;2139-2152
SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展白旭东;胡皓阳;蒋俊;李荣斌;申慧;徐家跃;金敏;2153-2160简讯
新型柔性InSe半导体单晶研究成果登上Science期刊金敏;2127研究论文
硅基金黄光LED器件性能及应用研究郭醒;王光绪;徐龙权;熊新华;杨俊宁;张建立;江风益;2161-2168
高性能垂直型GaN-on-GaN二极管的研究杨树;韩绍文;李彦君;李少成;盛况;2169-2177
硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究袁紫媛;潘睿;夏顺吉;魏炼;叶佳佳;李晨;陈延峰;芦红;2178-2193
高质量氧化镓单晶及肖特基二极管的制备张晋;胡壮壮;穆文祥;田旭升;冯倩;贾志泰;张进成;陶绪堂;郝跃;2194-2199
AlN单晶生长行为研究程红娟;金雷;武红磊;齐海涛;王增华;史月曾;张丽;2200-2205
偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明;2206-2210
编者按徐科;王新强;黎大兵;1947-1948+1946
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