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《电力电子技术》2020年10期
 
更新日期:2024-01-22   来源:电力电子技术   浏览次数:50   在线投稿
 
 

核心提示:目录宽禁带电力电子器件的应用基础专辑碳化硅绝缘栅双极型晶体管器件发展概述冯旺;田晓丽;陆江;白云;1-4一种用于逆变器的SiCMOSF

 
目录
宽禁带电力电子器件的应用基础专辑
碳化硅绝缘栅双极型晶体管器件发展概述冯旺;田晓丽;陆江;白云;1-4
一种用于逆变器的SiC MOSFET自适应电流源驱动朱津仪;王勤;伍群芳;5-9
基于SiC-MOSFET的三相谐振LLC变换器设计庞云亭;韦统振;张国驹;尹靖元;10-12+26
碳化硅MOSFET结电容模型夏逸骁;陶雪慧;13-16
基于通态漏源电压的SiC MOSFET结温估计方法信金蕾;杜明星;王颖丽;17-20
基于UsS的SiC MOSFET模块键合线状态监测方法朱春宇;闫维忠;刘永革;21-23
900 V/10 A Si基AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研制谭永亮;张力江;段雪;周国;24-26
SiC-MOSFET在地铁牵引系统中的应用研究马法运;毕京斌;夏猛;李华;27-31+35
基于SiC MOSFET的新型直线变压器驱动源设计朱潮通;徐向宇;曹沛;江锐;32-35
SiC光触发晶闸管的研制与特性分析王曦;蒲红斌;陈春兰;陈治明;36-38
1 kV SiC LLC变换器参数设计与效率优化顾占彪;唐家承;高哲思;张之梁;39-42+49
一种带有宽输出范围的高效LCC谐振变换器刘海风;赵晋斌;屈克庆;蓝建宇;43-46
基于全碳化硅的车辆辅助逆变器应用研究李东;王喜乐;李岩;王泉策;47-49
基于电流纹波的SiC MOSFET逆变器死区消除方法党晓圆;李洁;于仁泽;李辉;50-52+63
新结构GaN HEMT器件机理及电流崩塌效应研究刘静;段雯阁;王琳倩;张艳;53-56
一种SiC MOSFET快速短路保护电路研究卢乙;李先允;倪喜军;王书征;57-59
基于GaN器件的电池化成用双向直流变换器研究刘春喜;乔宇;郑文帅;马喜龙;60-63
半桥型LLC全碳化硅谐振充电机应用研究张安;孙传铭;张宝强;王志辉;64-67
基于混合并联器件的串联变换器故障运行研究施朝晖;朱安康;谢瑞;林斌;68-71
表面缺陷对SiC JBS二极管特性影响研究胡继超;蒲红斌;胡彦飞;陈治明;72-74
抑制4H-SiC功率器件双极型退化的复合提高层设计杨安丽;温正欣;宋华平;张新河;75-76+79
SiC MOSFET驱动参数的协同控制研究康成伟;刘博;张国芹;丛培城;77-79
一种可用于无线电能传输的取能装置设计黄明欣;唐酿;高园平;80-82
其他
一种新型T型逆变器模型预测功率控制刘毓鑫;谢运祥;张峰;胡嘉威;83-86
串联谐振逆变器均匀PDM功率控制方法王培光;柴艳鹏;宗晓萍;郝雷;87-89
LC并联谐振全桥直流变换器的研究李全;苏建徽;赖纪东;徐海波;90-93+98
三相逆变器的通用MPC方案设计和对比研究蒋文娟;杨小琴;涂宏庆;94-98
比例重复控制在有源电力滤波器中的应用甄远伟;侯运昌;沙琮田;韩冰;99-102
飞机地面电源线缆压降的补偿控制策略周星宏;曹太强;郭筱瑛;韩鹤光;103-106+116
电压型与电流型逆变器序阻抗建模与分析卫楚奇;石磊;周百灵;李伟祚;107-110
基于自适应谐波注入法的PMSLM谐波抑制研究胡月鹏;111-116
基于ADALINE陷波器的IPMSM死区补偿方法朱明祥;王鑫;117-120
多自由度电机双接收端无线电能传输研究李争;张瀚明;121-124
带恒功率负载的无线电能传输系统的环路补偿邢思;陆益民;125-128
风电参与电网黑启动的暂态电压稳定评估研究魏文兵;韩松;129-132
LTT硅胶保护层作用机理及性能影响因素研究武霁阳;刘宏;彭光强;国建宝;133-136
应用于光伏电站的快速功率跟踪控制策略陶征;米高祥;李旭;蒋顺平;137-140
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