首页 » 投稿动态 » 最新目录 » 正文
《电子与封装》2023年01期
 
更新日期:2023-08-11   来源:电子与封装   浏览次数:67   在线投稿
 
 

核心提示:目录宽禁带功率半导体器件专题宽禁带功率半导体器件专题前言陈万军;5-6GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战张彤;刘树强;何亮;成

 
目录
“宽禁带功率半导体器件”专题
“宽禁带功率半导体器件”专题前言陈万军;5-6
GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战张彤;刘树强;何亮;成绍恒;李柳暗;敖金平;7-16+6
面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件黄森;张寒;郭富强;王鑫华;蒋其梦;魏珂;刘新宇;17-27
GaN HEMT及GaN栅驱动电路在DToF激光雷达中的应用秦尧;明鑫;叶自凯;庄春旺;张波;28-35
微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展牟草源;李根壮;谢文良;王启亮;吕宪义;李柳暗;邹广田;36-45
GaN垂直结构器件结终端设计徐嘉悦;王茂俊;魏进;解冰;郝一龙;沈波;46-57
微波氮化镓肖特基二极管及其应用李秋璇;李杨;王霄;陈治伟;敖金平;58-68
氧化镓材料与功率器件的研究进展何云龙;洪悦华;王羲琛;章舟宁;张方;李园;陆小力;郑雪峰;马晓华;69-76
GaN基增强型HEMT器件的研究进展黄火林;孙楠;77-88
宽禁带半导体碳化硅IGBT器件研究进展与前瞻张峰;张国良;89-101
亚稳相Ga2O3异质外延的研究进展汪正鹏;叶建东;郝景刚;张贻俊;况悦;巩贺贺;任芳芳;顾书林;张荣;102-114
高压SiC MOSFET研究现状与展望孙培元;孙立杰;薛哲;佘晓亮;韩若麟;吴宇薇;王来利;张峰;115-126
电路与系统
基于负载牵引的S波段130 W硅LDMOS功率放大器研制鞠久贵;成爱强;127-131
封装前沿报道
三维结构石英透镜提高DUV-LED的发光效率彭洋 ;陈明祥;QIU J Y ;MIN X H;132
点击在线投稿

 

上一篇: 《电子与封装》2023年01期

下一篇: 《电子与封装》2023年01期

 
相关投稿动态
 
 
 
 
 
 
 
相关评论
 
分类浏览
 
 
展开
 
 
 

京ICP备2022013646号-3

(c)2008-2013 学术规划网 All Rights Reserved

 

免责声明:本站仅限于整理分享学术资源信息及投稿咨询参考;如需直投稿件请联系杂志社;另涉及版权问题,请及时告知!