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《半导体技术》2019年04期
 
更新日期:2021-02-03   来源:半导体技术   浏览次数:236   在线投稿
 
 

核心提示:目录趋势与展望超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势何君;李明月;241-250+256半导体集成电路微电容超声换能器的前端专用

 
 目录
趋势与展望
超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势 何君;李明月;241-250+256半导体集成电路
微电容超声换能器的前端专用集成电路设计 杜以恒;何常德;张文栋;251-256半导体器件
寄生电感对低压增强型GaN HEMT开关行为的影响 彭子和;秦海鸿;修强;张英;荀倩;257-264
高阈值电压低界面态增强型Al2O3/GaN MIS-HEMT 李茂林;陈万军;王方洲;施宜军;崔兴涛;信亚杰;刘超;李肇基;张波;265-269+290
MPS二极管的少子特性仿真 孙霞霞;汪再兴;刘晓忠;郑丽君;王永顺;270-275+285
一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管 高吴昊;陈万军;刘超;陶宏;夏云;谯彬;施宜军;邓小川;李肇基;张波;276-280+312半导体制造技术
三维闪存中基于钨互连的空气隙结构的制备工艺 袁璐月;刘峻;范鲁明;郭安乾;夏志良;霍宗亮;281-285
栅槽刻蚀工艺对增强型GaN HEMT器件性能的影响 崔兴涛;陈万军;施宜军;信亚杰;李茂林;王方洲;周琦;李肇基;张波;286-290半导体材料
银掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能 伍泳斌;赵英杰;王晓娟;莫德清;钟福新;291-296+320
硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量 许怡红;王尘;陈松岩;李成;297-301可靠性
基于40nm CMOS工艺电路的NBTI退化表征方法 卿健;王燕玲;李小进;石艳玲;陈寿面;胡少坚;302-306
基于失效物理的集成电路故障定位方法 陈选龙;李洁森;黎恩良;刘丽媛;方建明;307-312半导体检测与设备
军用标准PIND试验方法发展与对比分析 席善斌;高金环;裴选;尹丽晶;高东阳;彭浩;313-320
中国电子科技集团公司第十三研究所主办IEC TC47/WG6和IEC TC47/WG7工作组会议 崔波;320
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