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《半导体技术》2019年07期
 
更新日期:2021-02-03   来源:半导体技术   浏览次数:273   在线投稿
 
 

核心提示:目录一种带宽可调的连续时间Δ-Σ模数转换器设计陈旭斌;沈玉鹏;周旻;郁发新;489-493+499一种自偏置全集成的低功耗带隙

 
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一种带宽可调的连续时间Δ-Σ模数转换器设计 陈旭斌;沈玉鹏;周旻;郁发新;489-493+499
一种自偏置全集成的低功耗带隙基准电路设计 黄静;杨羽佳;王玉娇;孙玲;赵继聪;494-499
一种采用开关电容分割结构的分辨率可配置SAR ADC 居水荣;刘晨威;华秀琴;刘康建;朱樟明;500-505+525
多分辨率CMOS图像传感器芯片设计 解宁;丁毅;王欣;陈世军;506-510+519
一款直流偏移自校准的多模数模转换器 林雁飞;徐肯;梁振;叶晖;511-519
一种应用于DC-DC变换器中的片内电源电路 李少鹏;张在涌;520-525
一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关 刘方罡;要志宏;526-530
基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析 何玉娟;刘远;章晓文;531-536
InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性 吴永辉;魏洪涛;刘军;崔雍;樊渝;吴洪江;537-541+547
基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究 田阳雨;罗军;金鹰;吴元芳;542-547
m面AlN单晶自发成核生长表征 程红娟;金雷;史月增;赵堃;张丽;齐海涛;赖占平;548-552+563
沉积温度对Ni辅助合成石墨烯质量的影响 于成磊;王伟;段赛赛;于龙宇;刘孟杰;553-557
Si离子辐照下Al2O3栅介质的漏电机制 陈曦;张静;朱慧平;郑中山;李博;李多力;张金晶;何明;558-563
不同应力下集成电路金铝硅系统可靠性评估 龚瑜;黄彩清;吴凌;564-570
采用偏振喇曼光谱研究AlN晶体(110)面的各向异性 张颖;金雷;孙科伟;程红娟;571-576
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