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《半导体信息》2019年03期
 
更新日期:2023-08-16   来源:半导体信息   浏览次数:1232   在线投稿
 
 

核心提示:目录企业指南中国将发放5G商用牌照1工信部批复同意成都建国家芯火双创基地1-2国内外半导体技术与器件Qorvo已交付超过1亿个5G无线

 
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企业指南
中国将发放5G商用牌照1
工信部批复同意成都建国家“芯火”双创基地1-2国内外半导体技术与器件
Qorvo已交付超过1亿个5G无线基础设施射频器件2-3
Qorvo推出新型的高能效、小基站前端解决方案高效率放大器和LNAS扩展现有架构的容量3-4
ADI宣布推出突破性解决方案,将加快毫米波5G无线网络基础设施部署4-5
安森美半导体的碳化硅(SiC)二极管提供更高能效、更高功率密度和更低的系统成本5-6
Microchip推出碳化硅(SiC)产品助力打造可靠的高压电子设备6-7
意法半导体发起SiC攻势挑战英飞凌7-8
UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET8-9
CISSOID展出新款高温栅极驱动器、碳化硅器件及功率模块9-10
罗姆推出内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器IC10-12
英飞凌加速推出CoolSiCTM MOSFET 1200V单管新产品12-13
英飞凌联合Schweizer开发出面向轻度混合动力汽车的芯片嵌入式功率MOSFET13-14
埃赋隆面向ISM应用推出业界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶体管14-15
新款SiC/Si混合IGBT面世 结合能源和成本效益15
创新性技术工艺研发士兰微电子推出1350V RC-IGBT16
发力高功率混合电动车市场 英飞凌HybridPACK功率模块问市16-18
QORVO?通过10W Ka波段GaN放大器 打破功率屏障18
Qorvo新增适合Ka频段和X频段应用的GaN功率放大器18-19
Power Integrations发布集成了900V MOSFET的全系列开关电源IC19-20
台积电完成全球首颗3D IC封装 预计将于2021年量产20-21
pSemi宣布推出UltraCMOS13工艺实现更高射频性能21
台积电3纳米环评初审过关 2纳米或在2025年前问世21-22
三星即将宣布3nm以下工艺路线图 挑战硅基半导体极限22-23市场动态
重复的硅周期今年全球半导体市场规模或萎缩12%23
IDC:今年全球芯片收入将下跌7.2%23-25
GaN器件需求在5G时代将迎来爆发式增长25-27
2018年功率晶体管销售额再创新记27-28
车用SiC市场成长迅猛SiC-SBD将率先导入充电桩场景28-29
5G基站:PA数倍增长GaN大有可为29-33
受益于电动汽车发展IGBT产值2021年突破52亿美元33-34
IC市场吸金王美国名副其实34-35
夺回半导体头把交椅 三星或启动收购36-37
Marvell宣布将收购格芯子公司Avera半导体37-38
Soitec宣布收购EpiGaN nv 氮化镓(GaN)现已加入豪华产品组合38-39
总投资10亿元的第三代半导体项目落户南京浦口经开区39
总投资近360亿 上海积塔半导体项目明年投产39-40
中芯绍兴项目主体结顶 明年3月量产主要产品40
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